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高純度鉬濺射靶材
可對應低速高濃度的離子注入設備SOPHI-30
可對應低速高濃度的離子注入設備SOPHI-30
低加速、高濃度對應的離子注入設備。
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高能對應離子注入設備SOPHI-400
高能對應離子注入設備SOPHI-400
SOPHI-400
最大可對應至2400KeV的高能離子注入裝置。
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研究開發用中電流離子注入設備IMX-3500
研究開發用中電流離子注入設備IMX-3500
IMX-3500
中電流離子注入裝置IMX-3500為最大能量200keV、對應最大晶圓尺寸8inch的離子注入裝置，適用于大學等機構的研究開發。
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SiC用高溫離子注入設備 IH-860DSIC
SiC用高溫離子注入設備 IH-860DSIC
IH-860系列
搭載了高溫ESC（靜電吸附卡盤）的面向SiC量產用的高能粒子注入裝置。
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