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電子設備
量產用刻蝕設備NE-5700/NE-7800
量產用刻蝕設備NE-5700/NE-7800
NE-5700/NE-7800
量產用刻蝕設備NE-5700/NE-7800是可以對應單腔及多腔、重視性價比擁有擴展性的刻蝕設備。
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枚葉式PECVD設備CME-200E/400
枚葉式PECVD設備CME-200E/400
CME-200E/400
枚葉式PE-CVD設備CME-200E/400是最適用于Si系絕緣膜、barrier膜等成膜的量產用PECVD設備。
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可對應低速高濃度的離子注入設備SOPHI-30
可對應低速高濃度的離子注入設備SOPHI-30
低加速、高濃度對應的離子注入設備。
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高密度等離子刻蝕裝置ULHITETM NE-7800H
高密度等離子刻蝕裝置ULHITETM NE-7800H
NE-7800系列
高密度等離子客戶裝置ULHITE NE-7800H是對應刻蝕FeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAM等器件所用的高難度刻蝕材料（強電介質層、貴金屬、磁性膜等）的Multi-Chamber型低壓高密度等離子刻蝕設備。
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高能對應離子注入設備SOPHI-400
高能對應離子注入設備SOPHI-400
SOPHI-400
最大可對應至2400keV的高能離子注入裝置。
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研究開發用中電流離子注入設備IMX-3500
研究開發用中電流離子注入設備IMX-3500
IMX-3500
中電流離子注入裝置IMX-3500為最大能量200keV、對應最大晶圓尺寸8 inch的離子注入裝置，適用于大學等機構的研究開發。
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